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DMG1012T-7

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:20V 电流:630mA

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    N沟道,20V,0.63A,0.4Ω@4.5V

  • 品牌名称DIODES(美台)
  • 商品型号

    DMG1012T-7
  • 商品编号

    C20512
  • 商品封装

    SOT-523
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.026克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)630mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)700mΩ@1.8V,350mA
功率(Pd)280mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)736.6pC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)60.67pF@16V
反向传输电容(Crss@Vds)116.6pF
工作温度-55℃~+150℃
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):630mA(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.74nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):60.67pF @ 16V
功率 - 最大值:280mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-523
供应商器件封装:SOT-523

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