1个N沟道 耐压:20V 电流:630mA
- 10+: ¥0.20982 / 个
- 100+: ¥0.170444 / 个
- 300+: ¥0.150193 / 个
- 3000+: ¥0.133513 / 个 (折合1圆盘400.54元)
- 6000+: ¥0.127693 / 个 (折合1圆盘383.08元)
- 9000+: ¥0.123755 / 个 (折合1圆盘371.27元)
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¥0.133513 / 个 (折合1圆盘400.54元) |
6000+: |
¥0.127693 / 个 (折合1圆盘383.08元) |
9000+: |
¥0.123755 / 个 (折合1圆盘371.27元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 630mA | |
功率(Pd) | 280mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 400mΩ@4.5V,600mA | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 740pC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 60.67pF@16V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):630mA(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.74nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):60.67pF @ 16V
功率 - 最大值:280mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-523
供应商器件封装:SOT-523