立创商城logo
购物车0
PJQ5548-AU_R2_002A1引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PJQ5548-AU_R2_002A1

N沟道增强型MOSFET,具备低导通电阻、优秀FOM、逻辑电平驱动,符合AEC - Q101标准

品牌名称
PANJIT(强茂)
商品型号
PJQ5548-AU_R2_002A1
商品编号
C19845084
商品封装
DFN5060-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)48A
导通电阻(RDS(on))8.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)36W
阈值电压(Vgs(th))2.3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
输入电容(Ciss)778pF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)180pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • RDS(ON),VGS为10 V,ID为20 A时 < 8.8 mΩ
  • RDS(ON),VGS为4.5 V,ID为10 A时 < 12.1 mΩ
  • 出色的品质因数(FOM)
  • 逻辑电平驱动
  • 通过AEC-Q101认证
  • 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
  • 采用符合IEC 61249标准的环保模塑化合物

应用领域

  • 电池管理系统(BMS)-无刷直流电机(BLDC)-开关电源同步整流(SMPS SR)

数据手册PDF