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PJQ5439E-AU_R2_006A1
P沟道 30V 33A
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@ -10V，ID@ -20A < 18.8mΩ。RDS(ON)，VGS@ -4.5V，ID@ -10A < 30.7mΩ。100% UIS 测试。可靠耐用。AEC-Q101 认证。符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品。符合 IEC 61249 标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJQ5439E-AU_R2_006A1
- 商品编号
- C19845074
- 商品封装
- DFN5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.012nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 121pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品特性
- 栅源电压(VGS)为 -10 V、漏极电流(ID)为 -20 A 时,导通电阻 RDS(ON) < 18.8 mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -4.5 V、漏极电流(ID)为 -10 A 时,导通电阻 RDS(ON) < 30.7 mΩ
- 经过 100% 非钳位感性开关(UIS)测试
- 可靠耐用
- 通过 AEC-Q101 认证
- 符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
- 采用符合 IEC 61249 标准的环保模塑料
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