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FQPF17P06-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

FQPF17P06-VB

1个P沟道 耐压:60V 电流:20A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench技术，应用于各种电子设备和系统中。TO220F；P—Channel沟道,-60V；-20A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FQPF17P06-VB
商品编号
C19711322
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
1.65克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))100mΩ@10V；120mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.5nC@10V
输入电容(Ciss)550pF
反向传输电容(Crss)60pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)95pF

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