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HM16N60F-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

HM16N60F-VB

1个N沟道 耐压:650V 电流:20A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，具有优秀的性能和可靠性。采用Plannar技术制造，适用于各种应用场合。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=170mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
HM16N60F-VB
商品编号
C19711325
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
1.74克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))170mΩ@10V
耗散功率(Pd)30W
阈值电压(Vgs(th))5V@1mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)109nC@10V
输入电容(Ciss)2.414nF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)118pF

数据手册PDF

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