温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE0250D-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:50A
- 描述
- TO263；N—Channel沟道200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCE0250D-VB
- 商品编号
- C19711264
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.12W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐
- NTD80N02G-VB
- NTJS3151PT1G-VB
- PHP44N06T-VB
- PJ8205-VB
- PSMN7R0-100BS-VB
- RFP40N10LE-VB
- RQA0004LXAQS-VB
- RU30120R-VB
- SFM9110-NL-VB
- SFT1450-TL-H-VB
- SI4433DY-T1-E3-VB
- SI4632DY-T1-E3-VB
- SI9936DY-T1-E3-VB
- SI9948AEY-T1-GE3-VB
- SI9948DY-T1-E3-VB
- SIA429DJT-T1-GE3-VB
- SM3020PSU-VB
- SPP08P06PH-VB
- SQM100N10-10-GE3-VB
- SQM85N15-19-GE3-VB
- STD2N80K5-VB