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SFT1450-TL-H-VB实物图
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SFT1450-TL-H-VB

1个N沟道 耐压:40V 电流:55A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于中功率和中电压的场合，可广泛应用于各种电子设备和模块中。TO251；N—Channel沟道,40V；55A；RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SFT1450-TL-H-VB
商品编号
C19711277
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
0.33克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)55A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@10V；14mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)55.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)36nC@10V；25nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.1nF
反向传输电容(Crss)350pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)460pF

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