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RQA0004LXAQS-VB
1个N沟道 耐压:30V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种需要中等功率和较小封装体积的电子设备和模块中。SOT89-3；N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.6~1.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
RQA0004LXAQS-VB商品编号
C19711274商品封装
SOT-89-3包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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