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WMB032N04LG2
40V N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- WMB032N04LG2采用了第二代功率沟槽MOSFET技术，该技术经过特别优化，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持出色的开关性能。此器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMB032N04LG2
- 商品编号
- C19633666
- 商品封装
- PDFN5060-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196791克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.705nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 960pF |
商品概述
WMB032N04LG2采用了威兆第二代功率沟槽MOSFET技术,该技术经过特别设计,可在最小化导通电阻的同时保持卓越的开关性能。此器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V,ID = 90 A
- 在VGS = 10 V时,RDS(on) < 3.2 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(on) < 5.2 mΩ
- 低RDS(on)
- 低栅极电荷
- 100%保证EAS
应用领域
-开关中的电源管理-DC/DC转换器
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