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WMB100N04TS
40V N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- WMB100N04TS采用先进的功率沟槽技术，该技术经过特别定制，可将导通电阻降至最低，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMB100N04TS
- 商品编号
- C19633667
- 商品封装
- PDFN5060-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5524克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.21nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 325pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
Greenchip采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET适用于行业内对UPS、AC-DC电源转换、ATX电源和工业电源应用的AC-DC开关电源要求。
商品特性
- VDS = 40 V,ID = 125 A
- 当VGS = 10 V时,RDS(on) < 3.6 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(on) < 4.6 mΩ
- 高密度单元设计
- 低RDS(on)
- 100%保证EAS
应用领域
- 电源管理开关
- DC/DC转换器
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