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2SK3934-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型半导体器件，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和稳定性，适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SK3934-VB
- 商品编号
- C19632079
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.322nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- 低品质因数（FOM） 导通电阻（R_on）×栅极电荷（Q_g）
- 低输入电容 输入电容（C_iss）
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 栅极电荷（Q_g）
- 雪崩能量额定（UIS）
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业
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