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4N0404 TO263-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

4N0404 TO263-VB

1个N沟道 耐压:40V 电流:100A

描述
TO263;N—Channel沟道,40V;100A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
商品型号
4N0404 TO263-VB
商品编号
C19632081
商品封装
TO-263​
包装方式
管装
商品毛重
5.41克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)81nC@10V
输入电容(Ciss)3.33nF
反向传输电容(Crss)95pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.395nF

商品特性

  • 雷霆功率MOSFET
  • 最高结温175 °C
  • 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
  • 材料分类:有关合规性定义,请参阅符合RoHS标准、无卤

应用领域

  • 服务器和电信电源
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 功率因数校正电源(PFC)
  • 照明
  • 高强度气体放电灯(HID)
  • 荧光灯镇流器照明
  • 工业领域

数据手册PDF