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4N60 TO251-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:4.5A
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- 描述
- TO251；N—Channel沟道,650V；4A；RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 4N60 TO251-VB
- 商品编号
- C19632083
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1Ω@10V,3.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.417nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.912nF |
商品特性
- 低栅极电荷 Qg，对驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 完整表征了电容、雪崩电压和电流
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
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