温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDP61N20-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:80A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOS场效应管，采用Trench技术，适用于多种电子领域和模块应用。TO220；N—Channel沟道,200V；80A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDP61N20-VB
- 商品编号
- C19626678
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@7.5V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.132nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU
应用领域
- 或门应用
- 服务器
- 直流-直流转换器