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SIR818DP-T1-GE3-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有较高的漏极电压和漏极电流能力，以及低阈值电压和低开启电阻的特性。采用Trench技术制造，具有优良的性能稳定性和可靠性。适用于小型电路设计，有利于节省空间。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIR818DP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C19626689
- 商品封装
- QFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 210W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.025nF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC