温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
SI4480DY-T1-E3-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:9A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要小型化和高集成度的应用。SOP8；N—Channel沟道,100V；9A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI4480DY-T1-E3-VB商品编号
C19626699商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.104克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 32mΩ@10V |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
1+￥3.41
10+￥2.82
30+￥2.53
100+￥2.24
500+￥1.91
1000+￥1.82￥7280
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
20
江苏仓
2
购买数量(4000个/圆盘，最小起订量 1 个 )
个
起订量：1 个4000个/圆盘
近期成交4单
咨询客服
优惠券
芯媒体
建议反馈- 投诉意见
收起
优惠券
