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2SK1254L-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:12A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于汽车电子、工业控制、电源转换器、家用电器等多种领域和模块。TO251；N—Channel沟道,100V；12A；RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SK1254L-VB
- 商品编号
- C19626672
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.096667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 针对高端同步整流器操作进行优化
- 100% Rq测试
- 100% UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑CPU内核-高端开关