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ZVN4206GVTA-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:4.5A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ZVN4206GVTA-VB
- 商品编号
- C19626666
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 810pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
NPT2022硅基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）耗尽型（D-Mode）放大器针对直流至2 GHz工作频率进行了优化。该器件支持连续波（CW）、脉冲和线性工作模式，采用带螺栓固定法兰的行业标准塑料封装，输出功率可达100 W。
商品特性
-无卤-沟槽功率MOSFET
应用领域
-便携式设备的负载开关