SLVE2.8.TCT
SLVE2.8.TCT
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- 品牌名称
- SEMTECH
- 商品型号
- SLVE2.8.TCT
- 商品编号
- C1983027
- 商品封装
- SOT-143
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 2.8V | |
| 钳位电压 | 15V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 24A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 300W@8/20us | |
| 击穿电压 | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃@(Tj) | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS | |
| Cj-结电容 | 100pF |
商品概述
SLV系列瞬态电压抑制器旨在保护低压、先进的CMOS半导体免受静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。SLV专门用于保护以太网收发器、激光二极管、ASIC和高速RAM等低压元件。SLV的低钳位电压可将受保护IC的应力降至最低。SLV系列TVS二极管的浪涌性能将超过IEC 61000 - 4 - 2标准的4级要求。
商品特性
- 这些器件采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比,EPD工艺可提供低关断电压,同时显著降低漏电流和电容。
- “直通式”设计可将走线电感降至最低,并减少与ESD事件相关的电压过冲。
- 300瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)
- 为低压数据线提供瞬态保护,符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)±15kV(空气)、±8kV(接触);IEC 61000 - 4 - 4(EFT)40A(5/50ns);IEC 61000 - 4 - 5(雷击)24A(8/20μs)标准
- 保护一条线路
- 引脚布局全面,便于电路板布局
- 低电容
- 低漏电流
- 低工作电压和钳位电压
- 固态EPD TVS工艺技术
应用领域
- ESD和闩锁保护
- 模拟输入
- 广域网/局域网设备
- 低压ASIC
- 台式机、服务器、笔记本电脑和手持设备
- 便携式仪器
- 基站
- 激光二极管保护
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
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