SLVE2.8.TCT
SLVE2.8.TCT
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- 品牌名称
- SEMTECH
- 商品型号
- SLVE2.8.TCT
- 商品编号
- C1983027
- 商品封装
- SOT-143
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 2.8V | |
| 钳位电压 | 15V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 24A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 300W@8/20us | |
| 击穿电压 | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃@(Tj) | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS | |
| Cj-结电容 | 100pF |
商品概述
SLV系列瞬态电压抑制器旨在保护低压、先进的CMOS半导体免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击及其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。 这些器件采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺可提供低关断电压，同时显著降低漏电流和电容。SLVE2.8和SLVG2.8采用SOT - 143封装，工作电压低至2.8V。它们可用于保护差分或共模中的一条线路。“直通式”设计可将走线电感降至最低，并减少与ESD事件相关的电压过冲。 SLV专为保护以太网收发器、激光二极管、ASIC和高速RAM等低压组件而设计。SLV的低钳位电压可将受保护IC所承受的应力降至最低。 SLV系列TVS二极管可满足IEC 61000 - 4 - 2标准4级的浪涌要求。
商品特性
- 300瓦峰值脉冲功率（tp = 8 / 20μs）
- 为低压数据线提供瞬态保护，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±15kV（空气放电）、±8kV（接触放电）；IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40A（5/50ns）；IEC 61000 - 4 - 5（雷击）24A（8/20μs）标准
- 保护一条线路
- 全面的引脚排列，便于电路板布局
- 低电容
- 低漏电流
- 低工作电压和钳位电压
- 固态EPD TVS工艺技术
应用领域
-ESD和闩锁保护-模拟输入-广域网/局域网设备-低压ASIC-台式机、服务器、笔记本电脑和手持设备-便携式仪器-基站-激光二极管保护