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RCLAMP7512N.TCT

品牌名称: SEMTECH
商品型号: RCLAMP7512N.TCT
商品编号: C1983979
商品封装: UFDFN-12-EP
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

RailClamp TVS二极管阵列专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受由ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和EFT（电快速瞬变）引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管集成在单个封装中。在瞬态条件下，转向二极管将瞬态电流通过内部TVS二极管安全地引导至接地。 RClamp7512N采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺提供2.5V的低工作电压，并显著降低了漏电流和电容。它具有高浪涌（10p = 15A，tp = 8/20μs）和ESD（根据IEC 61000 - 4 - 2标准为±25kV）能力，且钳位电压较低。 RClamp7512N采用SLP3525N12封装。其尺寸为3.5×2.5×0.60mm。引脚采用无铅NiPdAu镀层。直通式设计针对两层PCB板的使用进行了优化。每个器件最多可保护十二条高速线路。小尺寸、低电容以及高ESD和浪涌能力的结合，使其非常适合用于下一代彩色LCD显示器和LVDS接口等应用。

商品特性

高速数据线瞬态保护，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±30kV（空气）、±25kV（接触）；IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40A（5/50ns）；IEC 61000 - 4 - 5（雷击）15A（8/20μs）
带内部TVS二极管的浪涌额定二极管阵列
针对两层PCB优化的直通式布线
小封装节省电路板空间
最多可保护十二条I/O线
高速接口的低电容（<5pF）
低漏电流和钳位电压
低工作电压：2.5V
固态硅雪崩技术

应用领域

TCONN芯片保护
两层PCB
LVDS接口
LCD电视

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交货周期

订货1-3个工作日

购买数量

(3000个/圆盘，最小起订量 75 个)

个

起订量：75 个3000个/圆盘

总价金额：

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	反向截止电压(Vrwm)	2.5V
	钳位电压	9V
	峰值脉冲电流(Ipp)	15A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	135W@8/20us
	击穿电压	2.7V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	500nA
	工作温度	-55℃~+125℃@(Tj)
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2
	类型	TVS
	Cj-结电容	5pF