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ESDA8V2-1J
单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：25A@8/20us
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- 描述
- 充电器和电池端口的EOS和ESD Transil 保护
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- ESDA8V2-1J
- 商品编号
- C1973027
- 商品封装
- SOD-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 20V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 25A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 500W@8/20us | |
| 击穿电压 | 8.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 210pF |
商品概述
ESDA8V2-1J是一款单向单线路瞬态抑制二极管，专为保护便携式设备和小型化电子设备中的集成电路而设计，这些设备会遭受EOS和ESD瞬态过电压影响。
商品特性
- 击穿电压VBR = 8.2 V
- 单向器件
- 高峰值功率耗散：500 W（8/20 μs波形）
- ESD保护等级优于IEC 61000 - 4 - 2 4级：30 kV接触放电
- 低泄漏电流（@5V时< 0.5 μA）
- 高EOS和ESD保护等级
- 高集成度
- 适用于高密度电路板
- 符合IEC 61000 - 4 - 2 4级标准
- ±15 kV（空气放电）
- ±8 kV（接触放电）
- MIL STD 883G - 方法3015 - 7：3B类
- HBM（人体模型）：≥8 kV
应用领域
-计算机-打印机-通信系统-手机及配件-视频设备