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HYD2G16L3AE-B9A
2Gb DDR3L同步动态随机存取存储器
- 描述
- 2Gb 低电压双倍数据速率 3（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。2Gb 芯片组织形式为 16Mbit × 16 输入/输出（I/O）× 8 存储体器件
- 品牌名称
- HeYangTek(扬贺扬)
- 商品型号
- HYD2G16L3AE-B9A
- 商品编号
- C19272579
- 商品封装
- FBGA-96
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3L SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 933MHz | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作电压 | 1.283V~1.45V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 75mA | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |