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HYD8G08V4BA-B7A

品牌名称: HeYangTek(扬贺扬)
商品型号: HYD8G08V4BA-B7A
商品编号: C19272582
商品封装: TFBGA-78
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.28克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	0℃~+95℃
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能

商品概述

DDR4 SDRAM 是高速动态随机存取存储器。对于 x8 类型，内部配置为 16 个存储体，4 个存储体组，每个存储体组有 4 个存储体；对于 x16 DRAM 类型，内部配置为 8 个存储体，2 个存储体组，每个存储体组有 4 个存储体。DDR4 SDRAM 使用 8n 预取架构实现高速操作，该架构与接口相结合，可在 I/O 引脚每个时钟周期传输两个数据字。对 DDR4 SDRAM 的读写操作以突发方式进行，从选定位置开始，按照编程序列连续进行 8 个突发长度或 4 个“截断”突发长度的操作。操作始于激活命令的注册，随后是读或写命令。与激活命令同时注册的地址位用于选择要激活的存储体组和行（x8 中 BG0 - BG1、x16 中 BG0 选择存储体组；BA0 - BA1 选择存储体；A0 - A15 选择行；更多详细信息请参考寻址部分）。与读或写命令同时注册的地址位用于选择突发操作的起始列位置，确定是否要发出自动预充电命令（通过 A10），并在模式寄存器启用的情况下“动态”选择 BC4 或 BL8 模式（通过 A12）。在正常操作之前，DDR4 SDRAM 必须以预定义的方式上电并初始化。以下部分提供了有关设备复位和初始化、寄存器定义、命令描述和设备操作的详细信息。

对于上电和复位初始化，为防止 DRAM 运行不正常，定义了以下模式寄存器（MR）设置的默认值。上电和初始化需要以下步骤（步骤 1 - 15）：

施加电源（建议将 RESET 和 TEN 保持在 0.2×VDD 以下；所有其他输入可以未定义）。RESET 需要在稳定电源下保持在 0.2×VDD 以下至少 200μs，TEN 需要在稳定电源下保持在 0.2×VDD 以下至少 700μs。在 RESET 被释放之前的任何时间将 CKE 拉低（最小时间 10ns）。300mV 至 VDD 最小值之间的电源电压斜坡时间不得大于 200ms，并且在斜坡期间，VDD ≥ VDDQ 且 (VDD - VDDQ) < 0.3V。VPP 必须与 VDD 同时或更早斜坡上升，并且 VPP 必须始终等于或高于 VDD。在上电期间，可能存在以下任一条件并且必须满足：条件 A

VDD 和 VDDQ 由单电源转换器输出驱动，并且
除 VDD、VDDQ 之外所有引脚的电压电平

商品特性

数据完整性：
- DRAM 内置温度传感器实现自动自刷新（ASR）
- 自动刷新和自刷新模式
DRAM 访问带宽：
- 按存储体组划分的独立 I/O 门控结构
- 自刷新中止
- 精细粒度刷新
信号同步：
- 通过模式寄存器（MR）设置进行写电平校准
- 通过多用途寄存器（MPR）进行读电平校准
可靠性与错误处理：
- 命令/地址奇偶校验
- 数据总线写循环冗余校验（CRC）
- 多用途寄存器（MPR）读出
- 边界扫描（X16）
- 封装后修复
信号完整性：
- 内部 VREFDQ 训练
- 读前导码训练
- 降速模式
- 每个 DRAM 可寻址性
- 可配置的驱动强度（DS）以实现系统兼容性
- 可配置的片内终端（ODT）
- 数据总线反相（DBI）
- 通过外部 ZQ 引脚（240 Ω ± 1%）进行 ZQ 校准以确保 DS/ODT 阻抗精度
节能与效率：
- 带 VDDQ 终端的电源优化设计（POD）
- 命令/地址延迟（CAL）
- 最大节能
- 低功耗自动自刷新（LPASR）
可编程功能：
- 输出驱动器阻抗（34/48）
- 列地址选通（CAS）写延迟（9/10/11/12/14/16/18/20）
- 附加延迟（0/CL - 1/CL - 2）
- 片选（CS）到命令地址延迟（3/4/5/6/8）
- 命令地址奇偶校验延迟（4/5/6）
- 写恢复时间（10/12/14/16/18/20/24）
- 突发类型（顺序/交错）
- RTT PARK（34/40/48/60/80/120/240）
- RTT_NOM（34/40/48/60/80/120/240）
- RTT_WR（80/120/240）
- 读前导码（1T/2T）
- 写前导码（1T/2T）
- 突发长度（BL8/BC4/BC4 或 8 动态选择）
- 低功耗自动自刷新（LPASR）（手动：正常/降低/扩展，自动：温度传感器（TS））
选项：
- 速度等级（CL - TRCD - TRP）2：
  - 2666 Mbps / 19 - 19 - 19
  - 3200 Mbps / 22 - 22 - 22
- 温度范围（Tc）：
  - 商业级：0°C ~ 95°C
VDD/VDDQ/VPP：1.2V / 1.2V / 2.5V
封装信息：无铅符合 RoHS 标准且无卤素

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR4 SDRAM
	时钟频率(fc)	1.6GHz
	存储容量	8Gbit
	工作电压	1.2V