GC2M0080120D1
GC2M0080120D1
- 品牌名称SUPSiC(国晶微半导体)
商品型号
GC2M0080120D1商品编号
C19271983商品封装
TO-247-3包装方式
管装
商品毛重
7.936667克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
沟道类型 | 1个N沟道 | |
Vds-漏源击穿电压 | 1200V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
Id-漏极电流(25℃) | 34A | |
Pd-功耗 | 190W |
数据手册PDF
梯度价格
梯度
售价
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30+¥19.31¥579.3
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900+¥15.99¥479.7
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