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GC2M0080120D1
GC2M0080120D1
- 描述
- 碳化硅场效应管
- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 商品型号
- GC2M0080120D1
- 商品编号
- C19271983
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.936667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 92pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ |