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IRFH5406TRPBF-JSM
耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRFH5406TRPBF-JSM
- 商品编号
- C19193725
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.132克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
UM8517P/UM8517P6是低阈值P沟道MOSFET，具有极低的导通电阻。这一优势为设计人员提供了一种用于电池和负载管理应用的高效器件。UM8517P采用节省空间的小外形SOT323封装，而UM8517P6采用节省空间的小外形SOT363封装。
商品特性
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻RDS(ON)
- 具备完整表征的雪崩电压和电流
- 高单脉冲雪崩能量下稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 功率开关应用