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IXTQ52N30P-JSM
1个N沟道 耐压:300V 电流:55A
- 描述
- 应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IXTQ52N30P-JSM
- 商品编号
- C19193741
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.687619克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,25A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 400W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.538nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AGM612C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA内核电压-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器