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IXTQ50N25T-JSM
1个N沟道 耐压:250V 电流:55A
- 描述
- 应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IXTQ50N25T-JSM
- 商品编号
- C19193742
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.685714克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 400W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 244nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.538nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 30V MOSFET技术
- 低导通电阻
- 快速开关
- Vgs±20V
应用领域
- 功率开关应用-负载开关
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