温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
15NM70G-TF3-T
N沟道 耐压:700V 电流:15A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 15NM70-U2 是一款超结 MOSFET 结构器件，旨在具备更优异的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于直流 - 直流、交流 - 直流转换器等电源应用领域。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 15NM70G-TF3-T
- 商品编号
- C19189343
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4253克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.064nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 543pF |
商品概述
K3878采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 900 V，在栅源电压VGS = 10 V、漏极电流ID = 9 A时，导通电阻Rdson < 1.15 mΩ（典型值：0.97 Ω）
- 低导通电阻
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 功率开关应用
- 适配器和充电器