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2SK2788-VB
1个N沟道 耐压:60V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种功率电路应用。SOT89-3；N—Channel沟道,60V；5.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
2SK2788-VB商品编号
C19188237商品封装
SOT-89-3包装方式
编带
商品毛重
0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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