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IRFP4468PBF(TOKMAS)
1个N沟道 耐压:100V
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- 描述
- 此N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。它可用于多种应用。
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- IRFP4468PBF(TOKMAS)
- 商品编号
- C19184245
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 223nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.258nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 327pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.714nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 100 V, ID = 300 A, RDS(ON) < 2.1 m Ω @ VGS = 10 V
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的优质封装。