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IPB80P04P4L04ATMA1(TOKMAS)
1个P沟道 耐压:40V
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可应用于多种领域。
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- IPB80P04P4L04ATMA1(TOKMAS)
- 商品编号
- C19184252
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.186克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 101W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -40 V, ID = -110 A, RDS(ON) < 5.3 m Ω(VGS = -10 V 时)
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可选。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低RDS(ON)。
- 封装散热性能出色。