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SUM110P04-05(TOKMAS)
1个P沟道 耐压:40V 电流:110A
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- 描述
- 该P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。它可用于各种应用。
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- SUM110P04-05(TOKMAS)
- 商品编号
- C19184253
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.1524克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 810pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 900pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -40 V，漏极电流（ID） = -110 A，在栅源电压（VGS） = -10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 5.3 mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻（RDS(on)）。
- 封装散热性能良好。
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