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XM003S080AK1Y8
138A、80V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：RDS(on) = 3.0mΩ (Typ.) @VGS=10V,Id=20A。 低栅极电荷。 低导通电阻。 快速开关。应用：功率因数校正 (PFC)。 开关模式电源 (SMPS)
- 品牌名称
- XDM(芯达茂)
- 商品型号
- XM003S080AK1Y8
- 商品编号
- C19100327
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.191667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 138A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.435nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 760pF |
商品概述
NCE6030K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 30A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 27mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS下具有良好的稳定性和一致性
- 优良的封装，散热性能好
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
应用领域
- 电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源