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S60N03D
1个N沟道 耐压:30V 电流:62A
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- 描述
- S60N03D 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为 DC/DC 转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。S60N03D 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S60N03D
- 商品编号
- C19100366
- 商品封装
- PDFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0634克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 814pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 498pF |
商品概述
NCE8290采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)，且栅极电荷较低。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 82 V，漏极电流ID = 90 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 8.5 mΩ（典型值：7.5 mΩ）
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
- 高密度单元设计，实现极低的导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用优秀的封装，散热性能良好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源