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S300N04TL
耐压:40V 电流:200A
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- 描述
- 特性：Split Gate Trench MOSFET technology。 Excellent package for heat dissipation。 High density cell design for low RDS(ON)。应用：DC-DC Converters。 Power management functions
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S300N04TL
- 商品编号
- C19100369
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.928克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 220W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 127nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 1.51nF |
商品概述
NCE7580采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 75V；当栅源电压VGS = 10V时，漏极电流ID = 80A；
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 8mΩ
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
- 专为转换器和电源控制设计
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 具备完整表征的雪崩电压和电流
- 高单脉冲雪崩能量（EAS）下稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源