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TPSM63610EXTRDFR
36V 8A 同步降压模块
- 描述
- TPSM63610E 是一款高度集成的 36V、8A 同步降压模块,结合了功率 MOSFET、屏蔽电感和无源元件,采用增强型 HotRod™ QFN 封装。该模块具有 VIN 和 VOUT 引脚位于封装角落的设计,便于优化输入和输出电容的放置。工作温度范围为 -55°C 至 125°C,开关频率可调范围为 200kHz 至 2.2MHz,支持负输出电压功能。
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPSM63610EXTRDFR
- 商品编号
- C18548251
- 商品封装
- B3QFN-22(6.5x7.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | 降压型 | |
| 工作电压 | 3V~36V | |
| 输出电压 | 1V~20V | |
| 输出电流 | 8A | |
| 开关频率 | 200kHz~2.2MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 同步整流 | 是 | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 拓扑结构 | 降压式 | |
| 开关管(内置/外置) | 内置 | |
| 输出类型 | 可调 |
商品概述
TPSM63610E源自同步降压模块系列，是一款高度集成的36V、8A DC/DC解决方案，它在增强型HotRod QFN封装中集成了功率MOSFET、屏蔽电感和无源元件。该模块的VIN和VOUT引脚位于封装的角落，便于优化输入和输出电容的布局。模块下方的四个较大散热焊盘使布局简单，便于制造过程中的操作。 TPSM63610E的输出电压范围为1V至20V，旨在以较小的PCB面积快速轻松地实现低EMI设计。整个解决方案仅需四个外部元件，并且在设计过程中无需选择磁性元件和补偿元件。 尽管TPSM63610E模块专为空间受限的应用而设计，追求小尺寸和简单性，但它具备许多特性以实现强大的性能：带迟滞的精确使能功能，可调节输入电压欠压锁定（UVLO）；电阻可编程的开关节点压摆率和扩频功能，可改善EMI。此外，还集成了VCC、自举和输入电容，以提高可靠性和密度。该模块可配置为在全负载电流范围内采用恒定开关频率（FPWM），或采用可变频率（PFM）以提高轻载效率。它还包括一个PGOOD指示器，用于排序、故障保护和输出电压监控。
商品特性
- 提供有助于功能安全系统设计的功能安全相关文档
- 集成MOSFET、电感和控制器
- 输出电压可在1V至20V之间调节
- 6.5mm x 7.5mm x 4mm塑封封装
- 结温范围为-55℃至125℃
- 频率可在200kHz至2.2MHz之间调节
- 具备负输出电压能力
- 全负载范围内超高效率
- 峰值效率达95%以上
- 具备外部偏置选项以提高效率
- 外露焊盘，热阻低。评估模块（EVM）的θJA = 18.2℃/W
- 关断静态电流典型值为0.6μA
- 极低的传导和辐射EMI特性
- 采用双输入路径和集成电容的低噪声封装，可减少开关振铃
- 开关节点压摆率可通过电阻调节
- 符合CISPR 11和32 B级辐射标准
应用领域
- 测试与测量
- 工厂自动化与控制
- 降压和反相降压-升压电源
交货周期
订货83-85个工作日购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个1000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单