RC65D600E
RC65D600E
- 品牌名称RealChip(正芯半导体)
商品型号
RC65D600E商品编号
C18547819商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.363克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
沟道类型 | 1个N沟道 | |
技术路线 | - | |
Vds-漏源击穿电压 | 650V | |
Id-漏极电流(25℃) | 4.8A | |
Pd-功耗 | 25W | |
Vgs(th)-阈值电压 | 1.9V | |
RDS(on)-导通电阻(10V) | 600mΩ |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
RDS(on)-导通电阻(8V) | - | |
RDS(on)-导通电阻(6V) | - | |
RDS(on)-导通电阻(4.5V) | - | |
RDS(on)-导通电阻(2.5V) | - | |
Qg-栅极电荷 | 7nC | |
Ciss-输入电容 | 243pF | |
Crss-反向传输电容 | 0.4pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
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