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RC65D270E

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属性参数值
商品目录氮化镓晶体管(GaN HEMT)
沟道类型1个N沟道
技术路线-
Vds-漏源击穿电压650V
Id-漏极电流(25℃)7.9A
Pd-功耗32W
Vgs(th)-阈值电压1.9V
RDS(on)-导通电阻(10V)270mΩ
属性参数值
RDS(on)-导通电阻(8V)-
RDS(on)-导通电阻(6V)-
RDS(on)-导通电阻(4.5V)-
RDS(on)-导通电阻(2.5V)-
Qg-栅极电荷7.2nC
Ciss-输入电容243pF
Crss-反向传输电容0.8pF
工作温度-55℃~+150℃

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