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NVMFD027N10MCL-VB
2个N沟道 耐压:100V 电流:35A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,100V；35A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NVMFD027N10MCL-VB
- 商品编号
- C18457621
- 商品封装
- PDFNWB5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 8.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品概述
HX4426/4427/4428 系列双低侧 MOSFET 驱动器采用 BiCMOS/DMOS 工艺制造，具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器可将 TTL 或 CMOS 的输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源电压或地电压的 25mV 范围内摆动。这与双极型器件不同，双极型器件只能在电源电压的 1V 范围内摆动。HX4426/4427/4428 驱动器有三种配置：双反相、双同相以及一个反相加一个同相输出。它们旨在取代 HX426/427/428 和 HX1426/1427/1428，提供更好的电气性能和耐用性。 HX4426/4427/4428 驱动器具有高耐用性，能够承受高达 500 mA 的反向电流（任意极性）而不发生闩锁，并且接地引脚可承受高达 5V 的噪声尖峰（任意极性）。这些驱动器主要用于驱动功率 MOSFET，但也适用于驱动其他需要低阻抗、高峰值电流和快速开关时间的负载。其他潜在应用包括驱动重载时钟线、同轴电缆或压电换能器。需要注意的是，驱动器的总功耗不得超过封装的限制。对于高功率和窄脉冲应用，请参考 HX4126/4127/4128。
商品特性
- 峰值输出电流 1.5A
- 抗闩锁保护，可承受 >500 mA 反向电流
- 工作范围 4.5V 至 18V
- 25 ns 内可切换 1000 pF 负载
- 低静态电源电流
- 逻辑 1 输入时为 4 mA
- 逻辑 0 输入时为 400μA
- 上升和下降时间匹配
- 输出阻抗 7Ω
- 典型延迟 <40 ns
- 逻辑输入保护至 -5V
- 逻辑输入阈值与电源电压无关
- 典型等效输入电容 6 pF
- 输出相对于电源或地的最大偏移 25 mV
应用领域
- MOSFET 驱动器
- 压电换能器驱动器
- 同轴电缆驱动器
- 时钟线驱动器