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TK3R2A10PL-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单晶硅器件,采用Trench技术，适用于需要处理高电压和高电流的应用领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；120A；RDS(ON)=3.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- TK3R2A10PL-VB
- 商品编号
- C18457629
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 84W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 385pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.84nF |
商品特性
- ThunderFET功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS标准