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STF100N10F7-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单晶硅器件,采用Trench技术，适用于需要处理高电压和高电流的应用领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；120A；RDS(ON)=3.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STF100N10F7-VB
- 商品编号
- C18457627
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 84W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.78nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 305pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.07nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- VDS(V) = 25 V
- ID = 20 A (VGS = 10 V)
- RDS(ON) < 5.7 mΩ (VGS = 10 V)
- RDS(ON) < 15 mΩ (VGS = 4.5 V)