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CMD5952A
1个P沟道 耐压:120V 电流:30A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，可提供低栅极电荷的出色导通电阻，可用于各种应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD5952A
- 商品编号
- C18255809
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.377克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
AGM609MNA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- 电子镇流器
- 电子变压器
- 开关模式电源
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