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CMD80R450Q
1个N沟道 耐压:800V 电流:11A
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- 描述
- 80R450Q是一款功率MOSFET，采用了Cmos先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD80R450Q
- 商品编号
- C18255810
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.384577克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.4nF |
商品概述
80R450Q是一款功率MOSFET,采用Cmos先进的超结技术,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术,它将提供更高的效率。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 出色的ESD鲁棒性
- 高速开关和低导通电阻实现低功耗
- 符合RoHS标准
应用领域
- 充电器
- 适配器
- 电源
- 无极灯
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