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CMF012N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
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- 描述
- 采用先进技术和设计，提供出色的RDS(ON)。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF012N10
- 商品编号
- C18255812
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.80198克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.7nF |
商品特性
- 30V/130A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) = 1.4 mΩ（典型值）
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 2.2mΩ（典型值）
- 经过100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 有无卤器件可供选择（符合RoHS标准）
应用领域
- 电池保护
- 开关应用
- DC/DC电源管理