TPS51116MPWPREP

DDR、DDR2、DDR1和LPDDR3存储器电源解决方案，同步降压控制器，1A低压降稳压器，经缓冲基准

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描述: TPS51116-EP 增强型产品 DDR1、DDR2、DDR3 转换开关和 LDO
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TPS51116MPWPREP
商品编号: C1850381
商品封装: HTSSOP-20-EP
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

	属性	参数值
	同步整流	是
	输出通道数	1
	拓扑结构	降压式
	静态电流(Iq)	2mA
	开关管(内置/外置)	外置
	输出类型	可调和固定
	功能特性	轻载高效模式；外部补偿；内置LDO稳压器；过流保护；输出放电；工作状态指示

商品概述

TPS51116为DDR/SSTL - 2，DDR2/SSTL - 18，DDR3/SSTL - 15和LPDDR3内存系统提供一个完整的电源。它集成了一个具有1A灌电流/拉电流跟踪线性稳压器和经缓冲低噪声基准的同步降压控制器。TPS51116在空间非常宝贵的系统中提供最低的总体解决方案成本。TPS51116同步控制器运行具有自适应接通时间控制的定频400kHz，伪恒定频率脉宽调制(PWM)，此控制可在D - CAP™模式中进行配置，此模式可简化使用并实现最快瞬态响应或者在电流模式中支持陶瓷输出电容器。1A灌电流/拉电流LDO只需20μF (2×10μF)陶瓷输出电容器即可保持快速瞬态响应。此外，LDO电源输入是外部可用的，这样可大大减少总体功耗。TPS51116支持所有睡眠状态控制，此类控制在S3（挂起到RAM）中将VTT置于high - Z状态并且在S4/S5（挂起到硬盘）中将VDDQ，VTT和VTTREF（软关闭）放电。TPS51116具有所有保护特性，其中包括热关断并采用20引脚散热薄型小外形尺寸(HTSSOP) PowerPAD™封装。

商品特性

同步降压控制器(VDDQ)
宽输入电压范围: 3.0V至28V
负载阶跃响应为100ns的D−CAP™模式
电流模式选项支持陶瓷输出电容器
支持S4/S5状态内的软关闭
RDS（接通）或电阻器的电流感测
2.5V (DDR)，1.8V (DDR2)，可调节至1.5V (DDR3)或1.2V (LPDDR3)或0.75V至3.0V的输出电压范围
配备有电源正常、过压保护和欠压保护
1A LDO (VTT)，经缓冲基准(VREF)
灌电流和拉电流的能力达到1A
提供LDO输入以优化功率损耗
只需20μF陶瓷输出电容器
经缓冲的低噪声10mA VREF输出
针对VREF和VTT的±20mV精度
在S3中支持高阻抗(high - Z)，在S4/S5中支持软关闭
过热保护

应用领域

DDR/DDR2/DDR3/LPDDR3内存电源
SSTL - 2，SSTL - 18，SSTL - 15和HSTL终止支持

	属性	参数值
	商品目录	DC-DC电源芯片
	功能类型	降压型
	工作电压	4.75V~5.25V
	输出电压	1.8V；2.5V；750mV~3V
	输出电流	1A
	开关频率	400kHz
	工作温度	-55℃~+125℃