TPS51116MPWPREP

TPS51116为DDR/SSTL - 2，DDR2/SSTL - 18，DDR3/SSTL - 15和LPDDR3内存系统提供一个完整的电源。它集成了一个具有1A灌电流/拉电流跟踪线性稳压器和经缓冲低噪声基准的同步降压控制器。TPS51116在空间非常宝贵的系统中提供最低的总体解决方案成本。TPS51116同步控制器运行具有自适应接通时间控制的定频400kHz，伪恒定频率脉宽调制(PWM)，此控制可在D - CAP™模式中进行配置，此模式可简化使用并实现最快瞬态响应或者在电流模式中支持陶瓷输出电容器。1A灌电流/拉电流LDO只需20μF (2×10μF)陶瓷输出电容器即可保持快速瞬态响应。此外，LDO电源输入是外部可用的，这样可大大减少总体功耗。TPS51116支持所有睡眠状态控制，此类控制在S3（挂起到RAM）中将VTT置于high - Z状态并且在S4/S5（挂起到硬盘）中将VDDQ，VTT和VTTREF（软关闭）放电。TPS51116具有所有保护特性，其中包括热关断并采用20引脚散热薄型小外形尺寸(HTSSOP) PowerPAD™封装。

• 同步降压控制器(VDDQ)
• 宽输入电压范围: 3.0V至28V
• 负载阶跃响应为100ns的D−CAP™模式
• 电流模式选项支持陶瓷输出电容器
• 支持S4/S5状态内的软关闭
• RDS（接通）或电阻器的电流感测
• 2.5V (DDR)，1.8V (DDR2)，可调节至1.5V (DDR3)或1.2V (LPDDR3)或0.75V至3.0V的输出电压范围
• 配备有电源正常、过压保护和欠压保护
• 1A LDO (VTT)，经缓冲基准(VREF)
• 灌电流和拉电流的能力达到1A
• 提供LDO输入以优化功率损耗
• 只需20μF陶瓷输出电容器
• 经缓冲的低噪声10mA VREF输出
• 针对VREF和VTT的±20mV精度
• 在S3中支持高阻抗(high - Z)，在S4/S5中支持软关闭
• 过热保护

• DDR/DDR2/DDR3/LPDDR3内存电源
• SSTL - 2，SSTL - 18，SSTL - 15和HSTL终止支持