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DGD0590AFU-7

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描述: DGD0590A是一款高频高端和低端栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达40V，可为MOSFET提供5V的栅极驱动。DGD0590A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接
品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: DGD0590AFU-7
商品编号: C1848807
商品封装: QFN-8-EP(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.16克(g)

商品参数

商品概述

DGD0590A是一款高频、高端和低端栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达40V，可为MOSFET提供5V栅极驱动。 DGD0590A逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与MCU接口。欠压锁定（UVLO）功能可在电源丢失时保护IC和MOSFET。快速且匹配良好的传播延迟允许实现更高的开关频率，从而能够使用更小的相关组件进行更小、更紧凑的功率开关设计。 DGD0590A采用V-QFN3030-8封装，工作温度范围扩展至-40℃至+125℃。

商品特性

40V浮动高端驱动器
低VCC工作电压：4.5V至5.5V
以半桥配置驱动两个N沟道逻辑电平MOSFET
高端1.0A源电流/1.0A灌电流和低端1.0A源电流/3.0A灌电流输出能力
内置自举二极管
3.4V欠压锁定，滞回电压0.4V
带3nF负载时，快速上升和下降时间（27ns/17ns）
高端传播延迟典型值为16ns，低端为12ns
扩展温度范围：-40℃至+125℃
完全无铅且完全符合RoHS标准
无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

无线充电器
电机驱动器
逻辑电平MOSFET栅极驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3A
	拉电流(IOH)	1A
	工作电压	4.5V~5.5V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	27ns
	下降时间(tf)	29ns
	传播延迟 tpHL	17ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	22uA