立创商城logo
购物车0
S2M0040120D-1实物图
  • S2M0040120D-1商品缩略图
  • S2M0040120D-1商品缩略图
  • S2M0040120D-1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S2M0040120D-1

单SiC功率MOSFET,适用于能源敏感的高频应用,具有低导通损耗和稳定开关特性

品牌名称
SMC(桑德斯)
商品型号
S2M0040120D-1
商品编号
C18212969
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
6.82克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)55A
耗散功率(Pd)348W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)92.1nC
输入电容(Ciss)1.904nF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)108pF
导通电阻(RDS(on))52mΩ

数据手册PDF