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S2M0080120J
1200V碳化硅功率MOSFET
- 描述
- 是单颗碳化硅功率MOSFET，采用TO-263-7封装。该器件是高压n沟道增强型MOSFET，在极端温度下具有极低的总传导损耗和非常稳定的开关特性。适用于具有挑战性环境中的对能量敏感的高频应用。
- 品牌名称
- SMC(桑德斯)
- 商品型号
- S2M0080120J
- 商品编号
- C18212976
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 耗散功率(Pd) | 234W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.324nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 74pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ |
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