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ASB65R220E
N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.19Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。应用：升压功率因数校正（PFC）开关。 单端反激或双晶体管正激
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASB65R220E
- 商品编号
- C18199767
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 126W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32.23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.547nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 134pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.113Ω（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强型：Vth = 2.5 至 3.5 V
应用领域
- 单端反激或双晶体管正激拓扑
- 电脑电源、PD 适配器、液晶与等离子电视及 LED 照明
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